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BEHLKE 通用MOSFET Switch 高壓開關

更新時間:2025-09-14

訪問量:1021

廠商性質(zhì):代理商

生產(chǎn)地址:德國

簡要描述:
BEHLKE 通用MOSFET Switch 高壓開關
高壓開關,用于放電應用,以及產(chǎn)生與快速高壓FDA續(xù)流二極管相關的阻尼正弦振蕩
● 高峰值電流能力
● 高的di/dt,但不影響可靠性和預期壽命,因為大量的單個SCR具有單獨的柵極驅(qū)動
● 非常耐過載
●通過簡單的TTL觸發(fā)脈沖(2-5 V)輕松點火
● 非常緊湊,重量輕
●各種冷卻選項
品牌其他品牌應用領域化工,能源,制藥/生物制藥,電氣,綜合
HTS361-200-FI

BEHLKE 通用MOSFET Switch 高壓開關



1.png

具有電流依賴導通時間的高壓開關,晶閘管/ SCR

高壓開關,用于放電應用,以及產(chǎn)生與快速高壓FDA續(xù)流二極管相關的阻尼正弦振蕩

高峰值電流能力

高的di/dt,但不影響可靠性和預期壽命,因為大量的單個SCR具有單獨的柵極驅(qū)動

非常耐過載

通過簡單的TTL觸發(fā)脈沖(2-5 V)輕松點火

非常緊湊,重量輕

各種冷卻選項

應用說明:dv/dtdi/dt能力非常有限的傳統(tǒng)盤式晶閘管開關不同,快速BEHLKE晶閘管開關模塊由大量較小的晶閘管芯片(類型取決于多達1000個單個晶閘管)組成,并聯(lián)和串聯(lián)連接,因此單個晶閘管的dv/dtdi/dt被有效地分割為非關鍵值。每個晶閘管都由它自己的高度同步和隔離的柵極驅(qū)動器觸發(fā)。這使得非常短的柵極布線成為可能,并避免了傳統(tǒng)晶閘管開關設計中已知的危險熱點。BEHLKE晶閘管開關可以安全地工作在最高的di/dtdv/dt速率以及最高的峰值電流下,而不會明顯縮短使用壽命。BEHLKE晶閘管開關是真正的門控開關,不會從負載電路吸取點火能量。這允許從幾乎0 V(提供足夠的吸合電流)到最大電壓的安全切換,而沒有任何限制。

BEHLKE 通用MOSFET Switch 高壓開關

這些開關在至少150%的最大工作電壓下是隔離的,因此可以輕松實現(xiàn)開關應用。為了節(jié)省成本和體積,特別是在低端開關應用中(例如,撬棍電路),所有BEHLKE晶閘管開關也可以采用可選的不對稱隔離,例如正極為200 kV,負極為30 kV。通過為每個晶閘管開關型號定制隔離電壓額定值,可以滿足特殊的隔離電壓要求,而不管其工作電壓如何。“常規(guī)"隔離電壓選項范圍為40 kV200 kV(可選。ISO-40ISO-80ISO-120ISO-200)。可根據(jù)要求提供符合歐洲安全標準的“醫(yī)療證明"。在約4-8周的交貨時間內(nèi),1150 kV(交流/DC)之間的任何定制電壓和1100 kA之間的任何定制峰值電流都是可能的。如果定制交換機可以在現(xiàn)有平臺上實現(xiàn),我們不會收取額外費用。請咨詢貝克。

為了并聯(lián)連接幾個晶閘管開關,它們配有同步I/O。如果一個開關由于故障條件(如過溫)而關閉,該功能可確保同步觸發(fā)并抑制其他開關模塊的觸發(fā)輸入。由于強電磁場可能由開關的高di/dt能力引起,建議在所有情況下使用單獨的控制單元(選項SEP-C) 大感應線圈面積。   這尤其適用于非常大的開關模塊,如果di/dt%3E 5 kA/ s對于中小型開關模塊的應用,我們建議使用印刷電路板(最終采用多層技術),以最大限度地降低雜散電感,并保持較小的感應環(huán)路面積。

使用印刷電路板的設計也保證了整個電子系統(tǒng)的可再現(xiàn)的EMC行為。在任何情況下,請確保負載圓與控制圓的距離適當,以避免磁反饋效應,否則內(nèi)部安全電子設備將檢測到故障情況,開關將被鎖定2秒鐘。每一槍之后。大多數(shù)開關通過紅色LED指示這一點。

所有BEHLKE晶閘管開關均可選配接地冷卻法蘭(GCF選項)、鍍鎳銅散熱片(CF選項)、石墨散熱片(CF-GRA選項、陶瓷散熱片(CF-CER選項)、水冷(ILC選項)、非導電冷卻劑直接液體冷卻(DLC選項)或陶瓷冷卻表面(CSS選項)

為了避免高壓電位下散熱片的電暈放電,我們建議在40 kV以上的電壓下使用直接液體冷卻(可選DLC)或陶瓷散熱片(可選CF-CER)或水冷卻(可選ILC)

出口限制: 根據(jù)美國法律和德國法律(兩用法規(guī)),最大峰值電流等于或高于500安培的快速固態(tài)開關受出口限制。沒有美國或德國出口當局的有效出口許可,不得將這些貨物出口到第三國。可能需要最終用戶聲明。請咨詢貝克。

產(chǎn)品代碼:型號包含有關電壓、電流和開啟行為的編碼信息。前幾個數(shù)字代表以kV為單位的電壓,破折號前的最后一個數(shù)字表示導通行為(0 =固定導通時間,1 =可變導通時間)。破折號后的數(shù)字表示電流,單位為安培x10。特殊功能由第二個破折號后的字母編碼。HTS 60-100-SCR示例:HTS =高壓晶閘管開關,6 = 6 kV0 =取決于固定導通時間的電流,100 = 1000安培,SCR =硅控整流器(晶閘管)

開關模型
[
排序依據(jù)電壓]

描述/評論
優(yōu)先股類型提前期%3E 6X不用于新開發(fā)

最大值電壓
[
千伏]

峰值電流
[A]

峰值功率
[毫瓦]

準時
[微秒]

HTS40-1000-SCR

同步。并行連接的I/O

10000

40

35…∞

HTS60-1000-SCR

同步。并行連接的I/O

6

10000

60

35…∞

HTS60-100-SCR

帶高壓引線的管狀外殼。冷卻選項不可用。

6.4

1000

6.4

35…∞

HTS60-200-SCR

led指示器。非常緊湊的設計- CF選項部分不適用!

6.4

2000

12.8

35…∞

HTS80-200-SCR

同步。并行連接的I/O

8

2000

16

35…∞

HTS80-500-SCR

同步。并行連接的I/O

8

5000

40

35…∞

HTS80-1000-SCR

同步。并行連接的I/O

8

10000

80

35…∞

HTS 100-1600 SCR

led指示器和同步。并行連接的I/O

10

16000

160

35…∞

HTS120-200-SCR

同步。并行連接的I/O

12

2000

24

35…∞

HTS120-500-SCR

同步。并行連接的I/O

12

5000

60

35…∞

HTS120-1600-SCR

led指示器和同步。并行連接的I/O

12

16000

192

35…∞

HTS120-100-SCR

led指示器。非常緊湊的設計- CF選項部分不適用!

12.8

1000

12.8

35…∞

HTS150-200-SCR

led指示器。非常緊湊的設計- CF選項部分不適用!

15

2000

30

35…∞

HTS160-200-SCR

同步。并行連接的I/O。僅通過尾纖進行高壓連接。

16

2000

32

35…∞

HTS160-500-SCR

同步。并行連接的I/O

16

5000

80

35…∞

HTS160-200-SCR

同步。并行連接的I/O

16

2000

32

35…∞

HTS160-1600-SCR

led指示器和同步。并行連接的I/O

16

16000

256

35…∞

HTS200-800-SCR

led指示器和同步。并行連接的I/O

20

8000

160

35…∞

BEHLKE:

HTS 240-48-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 240-104-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

HTS 241-30-SiC

Silicon Carbide Switch

Ursprungsland: DE

HTS 401-160-LC2

MOSFET Switch

FSWP 51-02 (NO)

Fast Square Wave Pulser No Options

GCF VI

Option Grounded Cooling Flange, Category VI

EXPRESS DE

Ursprungsland: DE

HTS 201-15-SiC

Silicon Carbide Switch

HTS 121-160-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE

HTS 500-80

MOSFET Switch

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE

具有可變導通時間、高電流的C6 - IGBT開關產(chǎn)品組      

具有可變導通時間、高電流的C6 - IGBT開關產(chǎn)品組.png


1) HTS 61-160-FI,快速IGBT開關。可變導通時間200ns至無窮大。帶控制連接引線(選項PT-C)。6千伏,1600安。Ip(最大值)下的開啟上升時間%3C90納秒。關閉上升時間%3C0.8 s。
2) HTS 101-120-SI標準IGBT開關。變量準時1秒到無窮大。10千伏,1200安峰值。開啟上升時間%3C 150 ns @ Ip(最大值)。關閉上升時間%3C 5秒。
3) HTS 241-240-SI標準IGBT開關。可變導通時間200 ns至無窮大。帶可選散熱片(CF選項)和法蘭外殼(FH選項)。24千伏,2400安峰值。上升時間%3C 150 ns @ Ip(最大值)。

具有可變導通時間、高電流的C7- MCT開關產(chǎn)品組

具有可變導通時間、高電流的C7- MCT開關產(chǎn)品組.png


1)  HTS 61-300-MCT可變導通時間的晶閘管開關。6 kVDC,導通電流3 kA,關斷電流100 A,導通上升時間200 ns,關斷上升時間1.5 s。

2)  HTS 101-300-MCT可變導通時間的晶閘管開關。10 kVDC,導通電流3 kA,關斷電流100 A,導通上升時間200 ns,關斷上升時間1.5 s。

3)  HTS 181-300-MCT可變導通時間的晶閘管開關。18 kVDC,導通電流3 kA,關斷電流100 A,導通上升時間200 ns,關斷上升時間1.5 s。

產(chǎn)品組B1-具有固定導通時間的通用MOSFET開關

產(chǎn)品組B1-具有固定導通時間的通用MOSFET開關.png


1)      HTS 40-06,超快速MOSFET開關,采用標準塑料外殼。固定導通時間,ton=100ns (50 ns - 100 s可選)4 kV,60 A峰值,上升時間%3C 3 ns。
2)  HTS 150、MOSFET開關。固定導通時間,ton=150ns(可選100 ns - 100 s)。帶高壓尾纖(PT-HV)和高隔離電壓(ISO-40)。15千伏,30安,tr %3C10ns。
3) HTS 300、MOSFET開關。固定導通時間,ton=200ns(可選100 ns - 100 s)。顯示在標準塑料外殼中。30千伏,30安培,上升時間% 3C 10納秒。

產(chǎn)品組B2 - MOSFET,固定導通時間,高di/dt和低阻抗

產(chǎn)品組B2 - MOSFET,固定導通時間,高didt和低阻抗.png


1)  HTS 60-16具有低雜散電感的快速放電開關。固定導通時間,ton = 150ns。6千伏,160安,tr %3C4ns @Ip(最大值)。交付時包括印刷電路板的插腳插座。

2)  HTS 80-16具有低雜散電感的快速放電開關。固定導通時間,ton = 150ns。8千伏,160安,tr %3C5ns @Ip(最大值)。交付時包括印刷電路板的插腳插座。

3) HTS 80-26具有低雜散電感的快速放電開關。固定導通時間,ton = 180ns。8千伏,260安,tr %3C5ns @Ip(最大值)。交付時包括印刷電路板的插腳插座。

漢達森*田*永*福

北京漢達森機械技術有限公司是一家專業(yè)從事歐洲工業(yè)產(chǎn)品進口貿(mào)易的公司。主要產(chǎn)品有工業(yè)自動化設備、機電設備、液壓設備、電氣設備和零部件等產(chǎn)品。公司總部于2007年在德國成立。公司自成立以來,一直以德國公司的身份為國內(nèi)一些貿(mào)易商,設備商及終端客戶提供產(chǎn)品代購服務。目前我們是德國、意大利、瑞典等數(shù)家工業(yè)設備生產(chǎn)商的中國區(qū)總代理;德國、意大利十幾家工業(yè)設備企業(yè)的一級分銷商。優(yōu)勢品牌超過八十個。與歐洲區(qū)兩千個以上的供貨商有業(yè)務往來。

我們的優(yōu)勢:

1 渠道廣泛,國內(nèi)有代理,或者有客戶保護廠家不賣的產(chǎn)品,只要您能提供型號,我們同樣可以從德國的分銷商來采購。

2 價格合理,繞過層層代理,最大限度的讓利給客戶。

3 直接從德國廠家采購,保證所有產(chǎn)品均為原裝*。




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